Nota de Aplicação
Determinação de Oxigênio em Bolachas de Silício com O836Si
Número de Referência: 203-821-599
Introdução
O oxigênio é uma impureza crítica em pastilhas de silício monocristalino que pode precipitar durante o processamento térmico e impactar negativamente o desempenho e a confiabilidade do dispositivo. Esta nota de aplicação discute a importância da determinação de oxigênio na fabricação de pastilhas de silício e como o monitoramento da concentração de oxigênio permite que os fabricantes otimizem os métodos de produção e obtenham substratos semicondutores consistentes e de alta qualidade.